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2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC的制备方法. 2.1. 固相法是利用两种或两种以上的固体物质，通过充分研磨和高温煅烧生产碳化硅的传统方法。 该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于 碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
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什么是碳化硅砂轮？. 碳化硅 砂轮 是一种带有中心通孔的粘结磨具。. 其主要成分是碳化硅。. 作为使用最广泛、适用范围最广的磨料产品，碳化硅砂轮可用于不同工件表面的磨削、抛 2024年7月4日 碳化硅砂轮是一种由碳化硅制成的砂轮, 是一种应用广泛的研磨材料. 它用于研磨, 切割, 并平滑各种材料, 包括金属, 石头, 和陶瓷. 碳化硅砂轮以其高研磨质量着称, 耐用性, 以及在高压环境中表现良好的能力.碳化硅砂轮: 你需要知道的一切 - 河南优之源磨料
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2024年4月18日 碳化硅SiC的生产工艺涉及从原材料的选择和预处理、高温热处理，到晶体生长、切割、打磨、器件制造、检测与封装等一系列复杂步骤。 每一步都需要精确控 2020年6月10日 有时为获取高纯度的碳化硅，则可以用气相沉积的方法，即用四氯化硅与苯和氢的混合蒸气，通过炽热的石墨棒时，发生气相反应，生成的碳化硅就沉积在石墨表面 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
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2020年6月12日 碳化硅的合成是在一种特殊的电阻炉中进行的，这个炉子实际上就只是一根石墨电阻发热体，它是用石墨颗粒或碳粒堆积成柱状而成的。 这根发热体放在中间，上 2020年7月20日 碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法三种方法，具体如下： 1、固相法. 固相法是利用两种或两种以上的固相 碳化硅的制备方法
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2023年4月4日 我们可以把 MOSFET （硅和碳化硅）根据它们的栅极结构分成两类：平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。如果从结构上来说硅和碳化硅 MOSFET 是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于 2001年12月5日 在制作本实用新型的平面砂布轮时，上盖6、底盘7和砂布片5通过胶粘剂9粘连，胶粘剂9只涂放在砂布片5的夹持部51的表面及该夹持部51与上盖6和底盘7接触的表面。. 实际的工艺过程则是将胶粘剂9用灌注的方式，集中置于上盖6与底盘夹持而成的环状空间的 平面砂布轮的制作方法 - X技术网
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摘要点击次数: 全文下载次数: 中文摘要: 目的 研发一种高精高效单晶碳化硅表面抛光技术。方法 采用电磁场励磁的大抛光模磁流变抛光方法加工单晶碳化硅，利用自制的电磁铁励磁装置与磁流变抛光装置，进行单因素实验，研究电流强度、工作间隙和抛光时间等工艺参数对单晶碳化硅磁流变抛光 ...2023年4月29日 一种碳化硅V-Notch槽磨削加工用砂轮架结构的制作方法. 本技术属于磨削加工装置，具体涉及一种碳化硅v-notch槽磨削加工用砂轮架结构。. 背景技术：. 1、磨削是碳化硅晶锭加工的工序之一，如图4所示，碳化硅晶锭4在外圆磨圆后，则要加工v-notch槽4-1，用 一种碳化硅V-Notch槽磨削加工用砂轮架结构的制作方法 - X ...
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2022年9月27日 一种碳化硅生长装置及其坩埚保温结构的制作方法. 1.本发明属于碳化硅新材料技术领域，具体涉及一种碳化硅生长装置及其坩埚保温结构。. 2.相较于以第二代半导体材料硅为基础的硅基-氧化物等半导体场效应晶体管只能应用于1000v以下的场合 (实际应用多 2020年2月25日 本发明涉及功率电子器件封装技术领域，特别是一种碳化硅功率模块的封装结构和制作方法。背景技术电力电子技术的发展总是朝着更高的效率，更高的功率密度以及更高的集成度发展。如今，宽禁带功率半导体功率器件相对于传统硅基功率半导体器件来说，具有更小的体积，更低的导通损耗，更高 ...一种碳化硅MOSFET模块的封装结构和制作方法与流程 - X技术网
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2014年3月1日 用途： 适合磨削、抛光抗张强度低、性脆的金属或非金属 有效期： 长期有效 立即询盘 详情说明 碳化硅平面轮 用途： 适合磨削、抛光抗张强度低、性脆的金属或非金属。如灰铸铁、玻璃、陶瓷、石材、硬质合金、玛瑙等同时 也广泛用于量具 ...2021年4月30日 2.如权利要求1所述的碳化硅平面栅mosfet元胞结构，其特征在于，每个第一导电类型接触区(013)的宽度为2um，所述第一间距为3um，所述第二间距为1.8um。3.如权利要求1所述的碳化硅平面栅mosfet元胞结构，其特征在于，每个第一导电类型接触区(013)的截面一种碳化硅平面栅MOSFET元胞结构的制作方法_2 - X技术网
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2022年11月22日 一种新型碳化硅平面式功率mosfet器件 技术领域 1.本实用新型属于电子元器件领域，特别涉及一种新型碳化硅平面式功率mosfet器件。 背景技术： 2.随着全球对节能减碳的要求越来越严格，功率组件也开始广泛的使用起所谓的第三代宽能隙材料。 相对于传统的纯硅组件，宽能隙材料能够大幅降低组件的 ...2021年11月5日 57.图1为本发明一实施例的碳化硅平面栅mosfet的制备方法的流程示意图。如图1所示，该碳化硅平面栅mosfet的制备方法包括以下步骤。58.步骤s1：于一碳化硅基板内形成自对准的jfet区与阱区。59.步骤s2：于所述阱区内形成自对准的源区与沟道区。碳化硅平面栅MOSFET的制备方法与流程 - X技术网
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2021年4月30日 本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种碳化硅平面栅mosfet元胞结构。背景技术碳化硅(siliconcarbide，sic)材料由于其三倍于硅(silicon，si)的禁带宽度，高的临界击穿电场、热导率和载流子饱和漂移速度，使得其成为制备电力电子领域核心功率器件绝佳的材料。另一方面，在功率器件家族中 ...2021年7月16日 1.本实用新型涉及碳化硅晶体制造技术领域，尤其涉及一种碳化硅晶体平面打磨标记卡片。. 2.现有碳化硅晶体在磨平圆柱体上下端面时，需要在端面保留晶体的部分原有表面，但晶体跟随工作台在持续的左右摆动，晶体上方一直有冷却液喷淋，人员在机床加工 一种碳化硅晶体平面打磨标记卡片的制作方法 - X技术网
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2021年10月30日 1.本实用新型涉及陶瓷制造技术领域，尤其是涉及一种用于碳化硅材料平面加工治具。背景技术： 2.碳化硅材料(cvd sic)涂层被广泛应用于碳碳复合材料、碳陶复合材料、石墨、以及高温结构件、耐腐结构件等。 sic涂层主要制备方法主要包括料浆法、包埋法、液相反应法和气相沉积法等。2023年5月10日 2、本发明的技术解决方案是：本发明提供一种激光减薄的碳化硅晶圆背面工艺，包括如下具体步骤，. 3、步骤一：在sic晶圆正面通过键合胶键合一层玻璃片，用于保护正面的器件结构；. 4、步骤二：利用激光在sic晶圆背面的特定深度形成角质层点平面；. 5 一种激光减薄的碳化硅晶圆背面工艺的制作方法 - X技术网
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技术方案：为实现本发明的目的，本发明所采用的技术方案是：一种降低碳化硅外延基平面位错密度的方法，包括以下步骤：. (1)将碳化硅衬底置于碳化硅外延系统反应室内的石墨基座上；. (2)采用氩气对反应室气体进行多次置换，然后向反应室通入氢气，逐渐 ...2024年7月4日 碳化硅砂轮由不同的研磨材料制成, 比如氧化铝, 碳化硅, 和钻石. 氧化铝适用于研磨软金属, 而碳化硅最适合磨削硬脆材料. 金刚石砂轮是磨削硬质材料的理想选择, 例如玻璃和陶瓷. 选择粒度. 根据您想要的饰面选择粒度. 磨粒大小决定砂轮的粗度或细度. 粗粒度 ...碳化硅砂轮: 你需要知道的一切 - 河南优之源磨料
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碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。2019年10月8日 本申请涉及一种SiC（碳化硅）-半导体构件、例如具有低的接通电阻以及高的耐压强度的半导体开关以及一种半导体二极管。背景技术半导体构件可以具有比较弱地掺杂的漂移区，所述漂移区在截止情况下消除在半导体构件中起作用的电场。漂移区的掺杂和垂直范围根据半导体构件的名义截止能力 ...碳化硅半导体构件的制作方法 - X技术网
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2005年6月29日 采用已知的溶胶方法生产的ORMOCER产品，由无机-有机混合聚合物组成，根据Fraunhofer Silicatforschung的资料，它也适合提高表面涂料的耐磨性能。然而，它们不能形成平面平行的单纯无机结构，而是生成硅醇盐网络。生产方法是不连续的，不能控制颗 结合附图，本发明提供的超薄网盖型平面砂布轮，包括背托盘1，所述背托盘1上经粘结剂粘结有多个砂页片2，各个砂页片2均匀的粘结在背托盘1上，所述背托盘1的两面均为平面，所述砂页片2的数量为32-38片。. 本发明通过将背托盘设计为平面结构，消除了现有 ...一种超薄网盖型平面砂布轮的制作方法
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2021年2月5日 技术特征： 1.一种碳化硅研磨轮，其特征在于，包括动力轴，设于动力轴外周的碳化硅层；所述碳化硅层通过固定层与动力轴固定连接；所述动力轴两端设有锁紧件，以将碳化硅层两端与动力轴固定连接。 2.根据权利要求1所述的一种碳化硅研磨轮，其特征在于，所述动力轴包括轴筒及轴芯；所述 ...2021年2月5日 本实用新型涉及磨削设备技术领域，更具体地说是一种碳化硅研磨轮和研磨机构。背景技术在pcb生产的过程中，钢板作为生产的工具，钢板的质量影响着pcb的质量。所以在钢板使用在pcb的生产中前需要对钢板进行研磨，保持钢板的平整度、清洁度等。而现有的研磨轮容易磨损，研磨效果差，刚度不够 ...一种碳化硅研磨轮和研磨机构的制作方法_3
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2022年4月28日 在坩埚的顶部放置籽晶，在底部放置SiC原材料，将坩埚加热至2000-2500℃左右。. 高温会使坩埚底部的粉料升华，在籽晶表面沉淀结晶，形成碳化硅晶体。. 遗憾的是，该方法没有采用Czochralski法生长单 结合附图，本发明提供的超薄网盖型平面砂布轮，包括背托盘1，所述背托盘1上经粘结剂粘结有多个砂页片2，各个砂页片2均匀的粘结在背托盘1上，所述背托盘1的两面均为平面，所述砂页片2的数量为32-38片。. 本发明通过将背托盘设计为平面结构，消除了现有 ...一种超薄网盖型平面砂布轮的制作方法
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2021年2月5日 技术特征： 1.一种碳化硅研磨轮，其特征在于，包括动力轴，设于动力轴外周的碳化硅层；所述碳化硅层通过固定层与动力轴固定连接；所述动力轴两端设有锁紧件，以将碳化硅层两端与动力轴固定连接。 2.根据权利要求1所述的一种碳化硅研磨轮，其特征在于，所述动力轴包括轴筒及轴芯；所述 ...2020年11月27日 图2为本发明的一种碳化硅研磨轮的爆炸图；图3为本发明的一种碳化硅研磨轮的剖视图；图4为本发明的一种研磨机构的剖视图。具体实施方式 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。一种碳化硅研磨轮和研磨机构的制作方法
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2021年6月18日 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种碳化硅平面式功率半导体器件及一种碳化硅平面式功率半导体器件的制作方法。背景技术： 对功率金属氧化物半导体（mosfet）器件而言，如何在应用时降低器件的导通损失（conductiveloss）及切换损失（switchingloss）一直是追求的重点，近年来为了解决这个 ...2021年4月21日 1.本实用新型涉及黑碳化硅页轮技术领域，尤其涉及一种便于更换的黑碳化硅页轮。背景技术： 2.碳化硅页轮是以碳化硅为原料制作而成的圆筒形打磨砂轮，使用时用法兰牢固的夹持在磨床主轴上，通过电机带动主轴旋转，主轴带动页轮旋转对工件进行打磨，页轮在对工件进行打磨时自身难免会受到 ...一种便于更换的黑碳化硅页轮的制作方法 - X技术网
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2021年2月5日 本实用新型涉及磨削设备技术领域，更具体地说是一种碳化硅研磨轮和研磨机构。背景技术在pcb生产的过程中，钢板作为生产的工具，钢板的质量影响着pcb的质量。所以在钢板使用在pcb的生产中前需要对钢板进行研磨，保持钢板的平整度、清洁度等。而现有的研磨轮容易磨损，研磨效果差，刚度不够 ...2024年6月19日 本技术涉及半导体加工，特别涉及一种碳化硅晶圆切割装置。背景技术、随着第三代半导体材料制备技术的不断发展，以碳化硅为首的第三代半导体正以其独有的性能逐步取代硅功率器件。在碳化硅芯片制造过程中，晶圆切割是不可缺少的一步。目前碳化硅晶圆切割主要有刀轮和激光切割两种方式 ...碳化硅晶圆切割装置的制作方法
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2021年6月23日 1.一种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：. 1)提供N型衬底及位于所述N型衬底上的N型漂移层；. 2)于所述N型漂移层中形成P型阱区；. 3)于所述P型阱区内形成N型源区；. 4)于所述N型漂移层上依次形成栅介质层及栅极层，并刻蚀所述栅
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