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碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的品種，都屬α-SiC。 ①黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高於綠碳化硅，大多用於加工抗張強度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄 2024年1月2日 中文名:碳化硅,英文名:Silicon Carbide (Black),CAS:409-21-2,化学式:CSi,分子量:40.1,密度:3.22 g/mL at 25 °C (lit.),熔点:2700 °C (lit.),沸点:2700℃,水溶性:Soluble in 碳化硅_化工百科 - ChemBK
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2020年3月31日 碳化硅是由碳原子和硅原子以共价键为主相结合而构成的化合物。. 共价键是四种基本的键型（离子键、共价键、金属键、分子键）中结合力最强的一种，再加上碳 2023年6月22日 碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
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碳化硅是人类已知的最坚固的材料之一，由硅（Si）和碳（C）元素组成。这种砂粒又称 "碳化硅"，具有高硬度、优异的导热性和耐磨性等优异特性。碳化硅的非凡特性使其在许多 2017年2月23日 SiC的物性和特徴. SiC是由矽﹙Si﹚和碳﹙C﹚所構成的化合物半導體材料。 結合力非常強，在熱量上、化學上、機械上皆很安定。 SiC存在各種晶 何謂碳化矽﹙Silicon Carbide﹚ TechWeb
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2020年3月31日 什么是碳化硅？. 碳化硅，又名碳化硅晶须，也称金刚砂、耐火砂、碳硅石。. 碳化硅的分子式是SiC。. 碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电 2021年7月14日 碳化硅 (SiC) 是最成熟的宽带隙半导体，目前用于制造高效电力电子器件，如二极管和晶体管。. 在这种情况下，选择性掺杂是制造这些器件所需的关键工艺之一 碳化硅功率器件中的选择性掺杂,Materials - X-MOL
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碳化硅磨料属于人造物质，是用石英砂、石油焦 (或煤焦)、木屑 (生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。. 纯碳化硅是无色透明的晶体。. 工业碳化硅因所含 Explore a wide range of topics and perspectives through articles by authors from diverse backgrounds on Zhihu's column platform.鲫旬建 (SiC)照且姻床疼搔册篡队耀驶词腥； - 知乎
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2010年7月19日 分享. 碳化硅中的C原子的杂化方式是什么？. 为什么？. （怎样判断杂化方式）因为C成四个键所以,有四个电子参与成键 C是2s12p3所以,全参与了杂化成键是sp3杂化作用力是原子间的作用力，算是共价键.2018年11月21日 CASA 004.1 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 3 术语和定义 GB/T 14264、CASA 004.1界定的术语和定义适用于本标准。 4 4H-SiC衬底及外延 4.1 结构 由Si原子层和C原子层构成的基本Si-C双原子层作为基本结构层，如图1~图3所示，以一4H 碳化硅衬底及外延层缺陷图谱
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2020年3月31日 碳化硅是由碳原子和硅原子以共价键为主相结合而构成的化合物。共价键是四种基本的键型（离子键、共价键、金属键、分子键）中结合力最强的一种，再加上碳原子与硅原子相互作用成键时，发生了电子在壳层上的转移，形成了键能更为坚强的SP3杂化轨道，这就是碳化硅形成类金刚石的结构、具有 ...2019年6月13日 因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。. 技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。. 第三代半导体器件的优势主要表现 系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇_材料
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2019年5月7日 本发明目的是提出一种可深度去除高纯碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素，使除杂后的碳化硅纯度达到5～6n的方法。. 本发明技术方案是：以hcl气体通入温度为900～1200℃的含杂碳化硅粉体，使含杂碳化硅粉体中的杂质元素与hcl反应生成低沸点 2023年7月14日 与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。. 碳化硅“狂飙”. 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 ...碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_
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2022年8月26日 门极回路杂散电感Ltrace是驱动回路PCB布局时引入的，而杂散电感Lsource则是封装管脚源极到芯片内部带来的寄生电感。对于漏极到芯片背面的寄生电感Ldrain并没有在驱动回路中，因此不在分析的范围中。图2 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型2022年8月26日 门极回路杂散电感Ltrace是驱动回路PCB布局时引入的，而杂散电感Lsource则是封装管脚源极到芯片内部带来的寄生电感。对于漏极到芯片背面的寄生电感Ldrain并没有在驱动回路中，因此不在分析的范围中。图2 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型SiCer小课堂 TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管 ...
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2024年5月17日 2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析（附产业链全景图）. 中商情报网讯：碳化硅属于第三代半导体材料，处于宽禁带半导体产业的前端，是前沿、基础的核心关键材料。. 近年来，伴随国内新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等 2023年9月26日 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 ...碳化硅封装——三大主流技术！-电子工程专辑
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硬度是指材料抗划伤、穿刺或压痕的能力，通常表示材料的耐磨性和耐磨损性。. 碳化硅的硬度测量方法包括以下四种：. 莫氏硬度： 莫氏疗法 碳化硅的硬度通常在 9-9.5 之间。. 维氏硬度： 碳化硅的维氏硬度通常在 2800-3400 HV 之间。. 维氏硬度测试是在材料表面 ...2022年5月18日 碳化硅模块封装的主要问题 近几十年来，以新发展起来的第3代宽禁带功率半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。SiC与第1代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第2代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化镓 ...哈尔滨理工大学蔡蔚教授团队研究成果：SiC 功率模块封装 ...
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2018年6月21日 主权项： 1.一种碳化硅微粉除杂装置，包括除杂罐(1)，其特征在于：所述除杂罐(1)顶部设置有电动机(2)，所述除杂罐(1)两侧安装有两组超声波发生器(6)，所述除杂罐(1)内侧顶部设置有磁选转盘(3)，所述磁选转盘(3)下方设置有刮板斗(4)，所述除杂罐(1)内部安装有绞龙提升结构(5)，所述绞龙提升结构(5)与 ...2022年12月1日 1 PVT法生长碳化硅晶体 1955年，Lely等首次提出了一种用于制备碳化硅晶体的升华技术，自此开启了碳化硅材料制备及器件制造的新局面。 遗憾的是，由于该方法所得晶体尺寸有限、形状不规则且容易包含多种晶型，难以应用于实际器件制造中。PVT 法生长 4H-SiC 晶体及多型夹杂缺陷研究进展-icspec
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1971年4月1日 摘要 在半封闭的 SiC/C 系统条件下，通过在 1 个大气压的氩气中退火，研究了 2H、3C、4H 和 15R 多型 SiC 晶体的相变和习性变化。. 在研究的温度范围内（1500–2830 °C），所有类型都转变为 6H 结构的板状晶体。. 2H 晶须转变为 6H 晶体是通过亚稳态 3C 改性发生的 ...2020年9月2日 碳化硅较硅有何性能优势？. 硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料，但与SiC相比，则显得效率低下。. SiC现在已开始被多种应用采纳，特别是电动汽车，以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。. SiC由纯硅和碳组成，与硅相比具有 碳化硅与硅相比有何优势？适合哪些应用？-EDN 电子技术设计
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2017年2月23日 碳化矽、SiC﹙Silicon Carbide﹚是比較新的半導體材料。. 一開始. SiC的物性和特徴. SiC是由矽﹙Si﹚和碳﹙C﹚所構成的化合物半導體材料。. 結合力非常強，在熱量上、化學上、機械上皆很安定。. SiC存在各種晶型（polytype），其物性値各有不同。. 功率元件方面，以4H ...2022年10月13日 碳化硅器件的这些优良特性，需要通过封装与电路系统实现功率和信号的高效、高可靠连接，才能得到完美展现，而现有的传统封装技术应用于碳化硅器件时面临着一些关键挑战。. 碳化硅器件的结电容更 碳化硅(SiliconCarbide，SiC)功率器件封装关键技术
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2023年6月22日 SiC 能够很好地满足高电压需求。. 碳化硅有可能通过提高整体系统效率来增加电动汽车的行驶里程，特别是在逆变器系统中，即增加汽车的整体节能效果，同时减少电池管理系统的尺寸和重量。. 高盛投资公司甚至预测，在电动汽车中使用碳化硅可以将电动汽 硅或 碳化硅 (SiC) 是半导体和电子设备行业最常用的材料。尽管它们的名称中都有 "硅 "这个元素，但它们在大多数问题上都有不同的特点。本文深入探讨了硅和碳化硅的迷人领域，研究了它们的特性、应用，以及它们在电子产品及其他产品的出现中所发挥的日益重要的作用。碳化硅与硅：两种材料的详细比较
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2020年5月8日 拆解PVT生长碳化硅的技术点. 产业化的碳化硅晶体的生长方法为物理气相输运（PVT）法，高温化学气相沉积（HTCVD）法为补充。. 物理气相输运法的核心步骤为：. 气体在籽晶表面生长为晶体。. 看似简单的四步，实际上，蕴含了大量的技术难点。. 为了全 2023年6月3日 天然碳化硅的地质形成涉及以下过程：. 变质 ：碳化硅在变质过程中的高温高压条件下形成。. 变质作用发生在预先存在的情况下 岩石 在地壳深处或在构造事件期间受到强烈的热量和压力，例如 山 建造。. 富碳环境 ：碳化硅的形成需要富含碳的环境。. 碳质 ...碳化硅 性质、形成、发生
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2024年6月4日 想要降低碳化硅衬底的成本，主要得从碳化硅单晶入手。 价格昂贵的碳化硅衬底是利用切、磨、抛等工艺加工碳化硅单晶而得。 如果生长出更厚的碳化硅单晶，那不仅能减少籽晶的用量，缩短单位厚度晶体的生长时间、提高生产效率，还能减少能耗和辅材用量，从而显著降低碳化硅衬底的成本。碳化硅MOSFET开关特性分析及杂散参数优化. 碳化硅MOSFET开关特性分析及杂散参数优化. 柯俊吉;谢宗奎;林伟聪;赵志斌;崔翔. 【期刊名称】《华北电力大学学报 (自然科学版)》. 【年 (卷),期】2018 (045)002.碳化硅MOSFET开关特性分析及杂散参数优化 - 百度文库
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2023年6月8日 碳化硅（SiC）是一种典型的宽带隙半导体材料，具有高电子饱和漂移速度、高击穿场等优异的物理性能。SiC材料包含多种多晶型，其中4H-SiC几乎是最受欢迎的多型，因为它具有合适的带隙和高电子饱和漂移速度。为了生产具有数千伏特高势垒电压的 4H-SiC 功率器件，必须仔细管理 4H-SiC 单晶的少数 ...张波—碳化硅分解. 反应烧结SiC又称自结合SiC，是由a- SiC粉和石墨粉 按一定比列混合压成坯体后，加热到1650℃左右，同 时熔渗Si或通过气相Si渗入坯体，使之与石墨起反应生 成β- SiC，把原来存在的a- SiC颗粒结合起来。. 特点：如果允许完全渗Si，那么整个过程中 ...张波—碳化硅分解 - 百度文库
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2020年2月12日 1、加热氧化法. 通过对碳化硅微粉进行高温煅烧，使碳化硅微粉中的游离碳及石墨与空气中的氧气反应，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脱离碳化硅，从而实现了除碳的目的。. 付仲超等利用高温煅烧除去碳化硅微粉中的碳杂质。. 该方法的最佳工艺条件为煅烧 ...
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