首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2024年6月19日 碳化硅（SiC）是一种具有多型晶（polytypes）结构的宽禁带半导体材料，其主要多型晶包括4H-SiC、6H-SiC和3C-SiC。. 每种多型晶的晶体结构和物理性质有 2018年11月16日 松山湖材料实验室,东莞,广东省. SiC单晶衬底、外延材料是第三代半导体产业的基础材料,属于瓶颈材料,是发展第三代半导体产业的关键! SiC单晶衬底、外延材料是 碳化硅外延材料技术研究
了解更多
2023年6月22日 碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。2023年7月14日 据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，除了碳化硅外延、离子注入、高温氧化/激活等碳化硅专用装备外，华卓精科等国内企业在激光退火、激光划片、PVD 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_
了解更多
2024年5月6日 碳化硅外延晶片是指在碳化硅衬底（经过切磨抛加工）的基础上，经过不同的外延工艺生长出晶格一致、高纯度、低缺陷的特定的一层微米级单晶薄膜，这层新的单 近日，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。. 作为第三代半导体的主要代表之一，碳化硅与硅相比，具有 国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长 - Xiamen ...
了解更多
2024年1月2日 中文名:碳化硅,英文名:Silicon Carbide (Black),CAS:409-21-2,化学式:CSi,分子量:40.1,密度:3.22 g/mL at 25 °C (lit.),熔点:2700 °C (lit.),沸点:2700℃,水溶性:Soluble in N型6英寸碳化硅外延晶片. 希科半导体科技（苏州）有限公司专注于第三代半导体核心关键材料—6英寸碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研发与产业化。. 产品主要用于制 N型6英寸碳化硅外延晶片-希科半导体,希科半导体,第三代 ...
了解更多
2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关...2020年4月23日 碳化硅外号 全面认识莫桑石：钻石与莫桑石哪个才是最值得买的宝石？_区分 2018-9-22 莫桑石是什么？首先澄清一点：莫桑石不是钻石，当然也不是像某些人所说的是锆石，它就是它自己，虽然与钻石很像，但完全是两种物质。碳化硅外号
了解更多
2023年7月14日 虽然市场产销两旺，但我国碳化硅功率器件仍处于早期阶段，如何降低成本、稳定质量、提升良率，是国产碳化硅功率半导体大规模应用的关键。. 与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为 ...2023年6月22日 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。. 颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。. 加热后，这些晶体在较低的温度下沉积在石墨上，这一过 什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
了解更多
2024年1月2日 碳化硅. 性质. 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。. 在常压下2500℃时发生分解。. 相对密度3.20～3. 25,介电常数7.0，室温下电阻率102M．cm。. 碳化硅的硬度很高，莫氏硬度为9.2～9.5，但比金刚石 ...2024年4月16日 去年的特斯拉投资者日，马斯克宣布特斯拉每辆车都将减少75%的碳化硅芯片使用量，直接把一家名叫Wolfspeed的公司送进了ICU。. Wolfspeed以LED照明业务 ...特斯拉撤退，谁在接盘碳化硅？-36氪
了解更多
碳化硅（SiC）陶瓷是一种多功能材料，具有一系列独特的特性，使其适用于各种应用： 1. 电绝缘性：碳化硅陶瓷是一种优异的电绝缘体，适用于电气和电子应用。由于其能够处理高电压，它也被用于高功率电子器件。 2. 高导热性：SiC具有较高的热导率，使其能够高效地传递热 硅或 碳化硅 (SiC) 是半导体和电子设备行业最常用的材料。尽管它们的名称中都有 "硅 "这个元素，但它们在大多数问题上都有不同的特点。本文深入探讨了硅和碳化硅的迷人领域，研究了它们的特性、应用，以及它们在电子产品及其他产品的出现中所发挥的日益重要的作用。碳化硅与硅：两种材料的详细比较
了解更多
$天岳先进(SH688234)$ $半导体ETF(SH512480)$ $小米集团-W(01810)$ #第三代半导体#没想到外延还挺复杂的，本篇就主要写外延吧，接下来还有续篇，敬请关注~目 录四、碳化硅的产业链04 碳化硅的产业链前一期讲到碳化硅产业链中的最核心、最 ...2020年9月2日 碳化硅较硅有何性能优势？. 硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料，但与SiC相比，则显得效率低下。. SiC现在已开始被多种应用采纳，特别是电动汽车，以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源 碳化硅与硅相比有何优势？适合哪些应用？-EDN 电
了解更多
2023年8月17日 碳化硅外延片是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。. 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底。. 目前我国已研制成功6英寸SiC外延晶片，且基本实现商业化 2024年1月4日 适用于制造各种用途的碳化硅磨具和陶瓷窑具以及耐火材料等. 用于磨料磨具、高级耐火材料、精细陶瓷等. 用作树脂、金属等复合材料的补强纤维，亦可作电波吸收材料及耐热材料。. 用作复合材料的增强材料，起到等方向性增强作用。. 与塑料、金属、陶瓷 ...碳化硅_MSDS_用途_密度_碳化硅CAS号【409-21-2】_化源网
了解更多
3 天之前 三种碳化硅外延生长炉的差异. 热壁水平卧式CVD、温壁行星式CVD以及准热壁立式CVD是现阶段已实现商业应用的主流外延设备技术方案，三种技术设备也有各自的特点，可以根据需求进行选择，其结构示意如下图所示：. 热壁水平式CVD系统，一般为气浮驱动 2022年4月25日 硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下：. （一）开通关断. 对于全控型开关器件来说，配置合适的开通关断 ...详解碳化硅MOSFET跟IGBT应用上的区别！ - 亿伟世科技
了解更多
2018年1月4日 淄博市华盛碳化硅有限公司是一家专业生产碳化硅和氮化硅制品的企业,拥有20 多年的生产经验。公司主要生产制造氮化硅产品。 更多 >> 产品分类 公司主要产品有氮化硅升液管，氮化硅辐射管，碳化硅管，碳化硅板，碳化硅砖，黑绿细粉，硅碳棒，热电 ...2019年11月11日 莫桑石学名碳化硅，外号魔星石，莫桑石的合成技术比较成熟，所以我们现在在珠宝市场上见到的莫桑石几乎100%是合成的。莫桑钻石各项属性与钻石最相近，可以说是最近莫桑钻石的最佳替代品，那么莫桑钻石和南非钻哪个比较闪呢？莫桑钻石和南非钻哪个比较闪 莫桑钻和南非钻选择哪一个好_检测
了解更多
2020年1月9日 西安博尔新材料有限责任公司. 是一家专门从事高品质碳化硅（SiC）微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业，自主发明实现工业化生产立方碳化硅（β-SiC）微粉和晶须的专业企业。. 总投资1.86亿元，生产的立方碳化硅（β-SiC）等 2024年5月16日 中商产业研究院发布的《2024-2030年中国碳化硅外延片行业市场发展现状及潜力分析研究报告》显示，2023年中国碳化硅外延设备市场规模约13.07亿元。. 中商产业研究院分析师预测，到2024年市场规模将增至20.87亿元，2026年增至26.86亿元。. 数据来源：TrendForce、中商 ...2024年中国碳化硅外延设备市场规模预测及行业竞争格局 ...
了解更多
2018年11月16日 碳化硅外延材料技术研究 松山湖材料实验室，东莞，广东省 研究背景 SiC芯片在电动汽车中的应用（比亚迪） SiC芯片在电网中的应用（南方电网） SiC外延材料研究平台 碳化硅（SiC）半导体材料的特性 宽禁带 高临界击穿场强 高热导率 高近日，厦门大学成功实现了8英寸（200 mm）碳化硅（SiC）同质外延生长，成为国内首家拥有并实现该项技术的机构。作为第三代半导体的主要代表之一，碳化硅与硅相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率，其在高温、高压、高频领域表现出色。国内首家！厦门大学实现8英寸碳化硅外延生长 - Xiamen ...
了解更多
2022年11月22日 SiC外延工艺简介. 浏览： 1583 作者： 来源：碳化硅芯观察 时间：2022-11-22 分类：知识驿站. 外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。. 其中在导 2024年3月11日 出于降本的需要，国内企业在6英寸碳化硅外延生长上已经实现逐步放量，并开始延展至对8英寸外延的研发投产。本篇报告包括对碳化硅外延定义、分类、工艺、设备、市场规模和发展趋势的总结和展望，还为大家罗列了目前国内主要碳化硅外延片供应商。2024年碳化硅（SiC）外延及供应商报告 - 新闻通知 中关村 ...
了解更多
2024年7月8日 碳化硅陶瓷为高温下强度最高的陶瓷材料，是以碳化硅为主要成分的陶瓷材料。碳化硅是典型的共价键化合物，单位晶胞由相同的硅碳四面体构成，硅原子处于中心，周围是碳。主要有两种晶型：α型，高温型，六方结构;β型，低温型，立方结构。2021年10月21日 早期碳化硅是在无偏角衬底上外延生长的，然而受多型体混合影响，实际外延效果并不理想，难以进而制备器件。 之后发展了利用台阶流生长方法在不同偏角下斜切碳化硅衬底，使外延表面形成高密度的纳米级外延台阶，可在1500℃左右的温度下制备均一 第三代半导体器件制备关键环节：外延（上） - 联盟动态 ...
了解更多
2024年7月4日 碳化硅磨料. 碳化硅陶瓷磨料由碳化硅组成, 化学上称为SiC. 它是由紧密排列的硅和碳分子组成的化合物. 它作为莫桑石矿物天然存在, 它的颗粒通过加热结合在一起 (1200 ℃~ 1400 ℃), 也称为烧结过程. 其承受重度磨损的能力和经济的生产使其成为磨料的完美选择. 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
了解更多
2021年3月13日 1月 23, 2024. 摘要. 为探明碳化硅国内外标准的情况和差异，本文调研、分析并选择了中国国家标准和行业标准、国际标准及美国、欧洲、日本、俄罗斯、罗马尼亚相关标准，选择碳化硅物理特性、碳化硅磨料化学分析方法、含碳化硅耐火材料化学分析方法 ...碳化硅材料有很多不同的牌号，不同的牌号在应用领域上有所不同。. 以下是一些常见的碳化硅材料牌号：. 1. CVD-SiC（化学气相沉积），这是一种通过化学气相沉积技术制备的SiC薄膜，主要用于制备高质量晶体和Βιβλιοθήκη Baidu匀分布的SiC薄膜。. 2. SSiC（静压 ...碳化硅材料牌号_百度文库
了解更多